美光科技成立

美光科技成立于美国爱达荷州博伊西一家牙科诊所的地下室，最初是一家仅有四名员工的半导体设计公司。美光签订的第一份合约是为 Mostek Corporation 设计 64K 存储芯片。

美光工程师完成了 64K DRAM 的设计

尽管美光科技不是首家设计 64K DRAM 的公司，但美光工程师设计了一种更新、更小的版本，被誉为“世界上最小的 64K DRAM”。此项创新设计让美光在 1981 年实现了其首款 64K 产品的大规模量产。

美光推出其首款 64K DRAM 产品

美光的 64K DRAM 是在位于爱达荷州博伊西的新建晶圆工厂中制造的首款产品。在第一批批量生产的个人电脑（包括 Commodore 64 家用电脑）中，很多都采用了美光的 64K DRAM。

美光推出世界上最小的 256K DRAM 芯片

除了被称为世界上最小的 256K DRAM 芯片，从 DRAM 密度角度而言，该产品也是行业中的一座里程碑。通过采用更大、更易于读取的存储单元，该 256K DRAM 成为年轻的美光科技在未来获得效益和盈利能力的跳板。

美光推出 1Mb DRAM

1Mb DRAM 是存储密度方面的一座里程碑，成为了 20 世纪 80 年代和 90 年代的 PC 主内存和显卡中不可或缺的组成部分。美光的 1Mb DRAM 催生了高容量 SIMM 模组，这种模组支持搭载了微软新 Windows 操作系统的 PC。

美光推出首款视频 RAM 和快速静态 RAM 产品

256K 视频 RAM 和快速静态 RAM 的推出让美光的产品组合延展到传统 DRAM 之外，美光因此成为能够生产不同类型存储产品的厂商。

美光 16Mb DRAM 支持搭载了全新 Windows 3.1 的 PC

作为存储密度方面的又一座里程碑，16Mb DRAM 取代了美光主流的 4Mb DRAM 产品系列。这款容量更高的芯片推出时恰逢微软的 Windows 3.1 问世，从而让 PC 的 RAM 最低要求提升至 1MB。

美光推出业界首款 DDR DRAM

美光推出了 Samurai 双倍数据速率 (DDR) 芯片组，证明 DDR 存储产品可以提供与竞争产品 Direct RDRAM 解决方案相同的性能，但前者成本更低。最终，DDR 会成为高性能 DRAM 无可争议的行业标准接口。

美光的四倍数据速率 SRAM 使存储带宽翻番

美光创新的四倍数据速率 (QDR) 架构使得通讯应用（如交换机和路由器）的 SRAM 带宽增加了一倍。这个独特的设计采用两个端口，以双倍数据速率独立运行，因此每个时钟周期可传输四个数据项。

美光推出业界首款基于 110 纳米工艺的 1Gb DDR

美光的 1Gb DDR 基于世界上最先进的工艺（110 纳米）而设计，超越了当时仍采用 130 纳米的半导体巨头英特尔和 AMD。这款芯片从密度和接口性能两个方面确立了美光的行业领导者地位。

美光开发 130 万像素 CMOS 图像传感器

进军图像传感器领域标志着美光科技作为一家创新型企业，打造的 CMOS 技术能够提供与电荷耦合器件 (CCD) 传感器相媲美的图像质量。现在，CMOS 传感器已成为各类数码摄像头（从智能手机到专业的高端设备）的标配。

美光推出适用于手机的 PSRAM

PSRAM 可实现高带宽、高容量和低能耗，能够取代移动设备中所用的 SRAM。美光科技在 PSRAM 领域的领导地位为未来的低功耗 DRAM 产品（也就是现在的移动设备所采用的低功耗 DRAM 产品）奠定了基础。

美光开发业界首款 6F2 DRAM 单元

美光科技开发出了全新的 6F2 单元架构，取代了行业中的 8F2 单元标准，让每个晶圆上的存储位增加大约 25%。凭借这种密度更高的设计，美光重回“业界最具成本竞争力的存储产品制造商”这一宝座。

美光推出高容量、低功耗的移动 LPDRAM

美光基于 33mm2 微型芯片设计的 16Mb DRAM 可在更小的空间中实现更高容量和更低能耗。随着手机从单一的语音通话工具转变为多媒体设备，LPDRAM 的需求大幅增加，这一趋势仍在当今的智能手机领域中继续。

美光开发 Mongoose 测试机以提高准确性和降低成本

这款内部自行开发的测试机专供美光使用，旨在提高 DRAM 测试的吞吐量和准确性。美光不断发展完善这个测试机平台，使其符合未来新的存储标准。

美光推出世界上密度最高的服务器存储模组

21 世纪初，随着将多个应用打包到一个服务器上的虚拟化技术的崛起，服务器对存储的需求快速增长，而美光科技的 16Gb DDR2 模组满足了这种需求。高密度服务器模组这一趋势到现在仍在继续。

美光开发业界首款加倍式间距 NAND

间距加倍是一种光刻技术，可在不改变光刻的情况下增加存储位密度。此技术可将位线分别置于第一和第二金属层，借助这一技术，美光能够基于当时的 50 纳米技术交付 16Gb MLC 设备。

美光改进低延迟、低功耗 RLDRAM 2 内存

这款高性能 DRAM 最初专为网络而设计，但它却迅速成为基于 DLP 的电视和投影仪——这一意想不到的应用的首选解决方案。虽然密度随着时间推移不断增加，但低延迟 DRAM 仍是目前的网络应用所必需的组成部分。

美光与英特尔率先交付亚 40 纳米 NAND 闪存

这款多级单元 (MLC) NAND 闪存设备是业界首款单片集成 32Gb NAND，在极小型设备（包括数码相机、随身听和数码摄影机）中实现了高密度固态存储。

美光推出业界速度最快的客户端固态硬盘 RealSSD™ C300

C300 在推出时是适用于笔记本电脑和台式电脑的业界速度最快的固态硬盘。这款固态硬盘支持 SATA III 接口，速度可达到 6Gb/s，显著提升了数据传输的吞吐速度、应用加载速度和启动速度。

美光与英特尔联合推出全球首款 20 纳米 MLC NAND

这款 128Gb MLC 存储产品可在一个包含八个芯片的指尖大小的封装中存储 1Tb 数据，设定了新的存储基准。此外，这款存储产品突破了标准浮栅 NAND 的扩展限制，是首款采用创新性平面单元结构的产品。

美光混合存储立方 (HMC) 架构亮相

混合存储立方 (HMC) 是一种突破性的 DRAM 架构，它使用硅穿孔 (TSV) 技术将高速逻辑与存储芯片堆结合在一起。HMC 的相关知识将继续应用于未来的新兴存储技术当中。

美光生产业界首款 2.5 英寸企业级 PCIe 固态硬盘

该解决方案集高性能 PCI Express 接口、2.5 英寸热插拔外形规格以及美光定制的控制器于一身，为企业级性能可扩展性和可维护性提供了新的选项。

美光开发适用于 Ultrabook™ 设备的全新低功耗 DRAM 规格

DDR3L-RS 内存确立了低功耗 DRAM 解决方案这一新规格，可延长笔记本电脑、平板电脑和 Ultrabook 系统等新一代高性能超薄设备的电池续航时间。
*Ultrabook 是英特尔公司及其子公司在美国和/或其他国家/地区的商标。

美光交付世界上最小的 16 纳米 NAND 闪存设备

美光的 16 纳米工艺技术在一个芯片上实现了 16GB 的存储，是当时有史以来密度最高的平面 NAND 闪存技术。凭借此工艺，一个 300 毫米的晶圆可提供近 6TB 的存储容量。

美光凭借首款单片集成 8Gb DDR3 SDRAM 领先业界

这款组件将一个芯片上的密度大幅提升至 1GB。这种高密度催生了经济实惠的高容量解决方案，以满足大规模、数据密集型工作负载的需求。

美光与英特尔联合推出有史以来密度最高的闪存 3D NAND

3D NAND 是半导体未来发展的重要转折点。通过垂直堆叠多层数据存储单元，3D NAND 可提供比平面 NAND 技术高三倍的容量。

美光与英特尔联合推出突破性的 3D XPoint™ 技术

3D XPoint 是存储处理技术的一项重大突破，同时也是数十年来首款新型存储类别。与 NAND 相比，这款非易失性存储的速度高出 1000 倍，耐用性提高 1000 倍。

美光推出世界上速度最快的图形 DRAM GDDR5X

这款存储产品具备创纪录的每引脚数据传输速率，可实现极高的图形性能和超强的 GPGPU 计算功能。GDDR5X 可实现高达 14Gb/s 的数据传输速率，带宽基本上是之前的 GDDR5 内存的两倍。